1）增感劑（光引發(fā)劑）：是光刻膠的關鍵成分，對光刻膠的感光度、分辨率起著決定性作用。2）感光樹脂（聚合劑）：用于將光刻膠中不同材料聚合在一起，構成光刻膠的骨架，決定光刻膠的硬度、柔韌性、附著力等基本屬性。3）溶劑：是光刻膠中比較大成分，目的是使光刻膠處于液態(tài)，但溶劑本身對光刻膠的化學性質幾乎無影響。4）助劑：通常是專有化合物，主要用來改變光刻膠特定化學性質。根據應用領域，光刻膠可分為半導體光刻膠、LCD光刻膠和PCB光刻膠，其技術壁壘依次降低（半導體光刻膠> LCD光刻膠> PCB光刻膠）。從國產化進程來看，PCB光刻膠目前國產替代進度較快，LCD光刻膠替代進度相對較快，而在半導體光刻膠領域國產技術較國外先進技術差距比較大。氧化物型光刻膠：這種類型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成。在制造高質量微電子設備時非常有用。昆山干膜光刻膠溶劑

光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷。目前大廠商就占據了全球光刻膠市場 87%的份額，行業(yè)集中度高。其中，日本 JSR、東京應化、日本信越與富士電子材料市占率加和達到72%。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導體光刻膠技術亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷，產品絕大多數出自日本和美國公司，如杜邦、JSR 株式會社、信越化學、東京應化工業(yè)、Fujifilm，以及韓國東進等企業(yè)。整個光刻膠市場格局來看，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。蘇州i線光刻膠光引發(fā)劑光刻膠發(fā)展至今已有百年歷史，現(xiàn)已用于集成電路、顯示、PCB 等領域，是光刻工藝的重要材料。

在半導體集成電路制造行業(yè)；主要使用g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠等。在大規(guī)模集成電路的制造過程中，一般要對硅片進行超過十次光刻。在每次的光刻和刻蝕工藝中，光刻膠都要通過預烘、涂膠、前烘、對準、曝光、后烘、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié)，將光罩（掩膜版）上的圖形轉移到硅片上。

光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的重要材料。

光刻膠屬于半導體八大重要材料之一，根據全球半導體行業(yè)協(xié)會（SEMI）近期數據，光刻膠在半導體晶圓制造材料價值占比5%，光刻膠輔助材料占比7%，二者合計占比12%，光刻膠及輔助材料是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導體材料。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，目前被用于光電信息產業(yè)的微細圖形線路加工制作環(huán)節(jié)。光刻膠由增感劑（光引發(fā)劑）、感光樹脂（聚合劑）、溶劑與助劑構成。根據應用領域不同，光刻膠可分為 PCB 光刻膠、LCD 光刻膠和半導體光刻膠，技術門檻逐漸遞增。

歷史上光刻機所使用的光源波長呈現(xiàn)出與集成電路關鍵尺寸同步縮小的趨勢。不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設備和光刻膠材料。在20世紀80年代，半導體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時候波長436nm的光刻光源被大量使用。在90年代前半期，隨著半導體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進，光刻開始采用365nm波長光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高，波長**短的兩個譜線。高壓汞燈技術成熟，因此很早被用來當作光刻光源。使用波長短，能量高的光源進行光刻工藝更容易激發(fā)光化學反應、提高光刻分別率。以研究光譜而聞名的近代德國科學家約瑟夫·弗勞恩霍夫將這兩種波長的光譜分別命名為G線和I線。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術命名的由來。目前，我國光刻膠自給率較低，生產也主要集中在中低端產品，國產替代的空間廣闊。上海半導體光刻膠集成電路材料

彩色光刻膠及黑色光刻膠市場也呈現(xiàn)日韓企業(yè)主導的格局，國內企業(yè)有雅克科技、飛凱材料、彤程新材等。昆山干膜光刻膠溶劑

中美貿易摩擦：光刻膠國產代替是中國半導體產業(yè)的迫切需要；自從中美貿易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產業(yè)。在半導體材料領域，光刻膠作為是集成電路制程技術進步的“燃料”，是國產代替重要環(huán)節(jié)，也是必將國產化的產品。光刻是半導制程的重要工藝，對制造出更先進，晶體管密度更大的集成電路起到決定性作用。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術相匹配?，F(xiàn)在，一塊半導體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求。光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響。昆山干膜光刻膠溶劑

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